반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

화공

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

플라즈마

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

안녕하십니까 선생님! 플라즈마의 밀도가 낮아졌을 때의 원인이 궁금해서 질문드렸습니다.

제가 생각하기에는 파셴커브에 의해 적절한 압력을 설정하는 것이 중요한데, 진공 펌프의 문제로 압력이 너무 커지거나 작아져서일 것 같습니다. 또한, 전극판 사이에 충분한 전압이 인가되지 않았을 수도 있을 것 같습니다.

제 생각이 맞는지, 추가적으로 어떤 요소가 있을지 궁금합니다.

추가적으로, 전자에너지에 따른 충돌단면적 그래프와 파셴커브는 모두 플라즈마의 밀도에 관한 그래프인가요? 쉬스전압(스퍼터링)과는 관련이 없는 것일까요?