Lpcvd의 피복능력이 좋은이유

반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

전자공학과

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

공정기술

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

교재를 보면 evaporation 경우 진공이라서 입자의 직진상이 높아 그림자효과가 발생하고 stepcoverage가 나쁘다고 나와있고

스퍼터링은 아르곤 가스를 주입하면서 공정압력을 evaporation보다 높게 가져가기 때문에 step coverage가 향상된다고 적혀있어서

압력이 낮을수록 step coverage는 나쁘다고 정리가 되었는데

Lpcvd 설명에서는 저압에서 이루어져 mfp가 증가해 우수한 step coverage를 얻는다는 설명이 있어서 헷갈립니다

단지 압력만으로 피복능력이 결정되는게 아니라 그런걸까요?