포토공정에 대한 질문 올려드립니다.

반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

화학공학과

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

포토공정

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

먼저 질문이 많아서 죄송합니다..

1. DOF는 빛의 focus가 가능한 두께이며, PR 두께가 두꺼울수록 공정마진이 상승하여 품질측면에서 유리하다고 알고있습니다. 왜 PR두께를 낮추는게 DOF를 개선하는 방법인지 궁금합니다

또한 해상도를 낮추기 위해서는 PR두께를 줄여야 하나요? 맞다면 그 이유도 궁금합니다.

2. 두께가 얇은 PR을 쓸 때도 있고 두꺼운 PR을 써야하는 경우도 있다고 알고있습니다.(TSV(Trough silicon via)같은 Aspect ratio 가 큰 패턴)

그럼 두가지 경우 노광기를 다르게 쓰나요? 노광기의 스펙을 말할때 'DOF 몇um, 해상도 몇um'이라고 말하는 것으로 알고있는데 두가지는 DOF가 다르기 때문에 노광기를 다르게 쓸것같아는 생각이 들었습니다.

3. 1번의 경우 동일한 노광기에서 PR두께를 조절함으로 DOF, 해상도를 높일수 있다고 생각해도 될까요?

4. 1번에서는 두께를 낮추는게(PR두께 변화) DOF를 개선시키는 것이라고 했는데,

'PR코팅 후 노광시간전까지 시간이 길어서 PR두께가 감소해 포커스 지점이 달라진다 그래서 대기시간을 고정해야한다'라는 이 문장에서는 두께가 달라지면 안된다고 해서 이해가 가지 않습니다.

5. 렌즈가 클수록 왜 DOF가 작은 원리가 궁금합니다.

6. lift-off공정에서 negPR을 하드베이크하면 안되는 이유가 reflow가 발생해 형상이 변하기 때문으로 알고있습니다.

그렇다면 opc툴로 변형이 예상되는 영역을 미리 보정하면 안되는 걸까요?

7. PEB 목적이 일반 uv PR (i/g line)일 때는 PAC 확산을 통해 정재파 감소이고 CAR PR일 때는 화학반응의 활성화라고 생각해도 될까요?

8. Line slimming, T-top shape, Footing, Undercut 현상은 일반 uv PR (i/g line)가 아닌 CAR PR 일때만 발생하나요?

9. 기존 duv 화학증폭형 PR사용시 문제점이 2차 전자생성단계로 인해 노광 효율이 떨어진다는 것으로 알고있는데

이 떄문에 EUV 포토레지스트 요건은 PR이 산을 발생시키는 민감도가 높아야 하는건지 궁금합니다.