반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

화공

■ 세부 질문 분야

공정기술, 양산기술

■ 상세 질문 내용

DOF와 CMP 공부하다가 제가 제대로 이해한 것이 맞는지 궁금하여 문의드립니다.

1. 초점심도 정의가 뭔가요?
제가 생각했을 때 빛의 focusing이 가능한 범위(두께)라고 이해가 되는데, 이렇게 봐도 되나요?

2.DOF가 작아지면서 생기는 문제점?
PR이 두껍거나 웨이퍼 표면에 튀어나온 단차(금속, 절연체)로 인해 웨이퍼가 평탄하지 못해서 PR이 DOF를 벗어나 패터닝이 안되는 현상이 발생한다고 생각했는데, 이게 맞나요?

3.DOF의 한계를 cmp와 pr로 극복한다는 건?
Cmp로 wf 위에 튀어나온 단차인 금속이나 절연체를 갈아 웨이퍼의 평탄도를 높이거나 PR의 두께를 얇게해서 DOF범위 내에 PR이 들어와 PR 전체가 패터닝이 가능하도록 함이 맞나요?

4. CMP란?
Wf에 도포된 절연체, 금속 박막을 화학적, 물리적으로 갈아서 제거하는 것 맞나요? 지금까지 박막이 아닌 wafer를 가는 것인 줄 알았습니다.