반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

전자

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

산화공정_공정조건의존성_Substrate doping

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

산화 심화공정 ppt 32p에서 Substrate doping 관련이 나오는데요.

도핑 농도가 증가하면 oxide growth rate가 상승하고 

도핑농도 증가로 vacancy증가에 의해 ks가 상승한다고 되어있는데 책을 보면 P,B,As모두 치환형(vacancy)더라구요.

질문)  B,P 모두 치환형이니 vacancy도 같이 상승하고 이로 인해 Ks가 같이 상승할거같은데 m의 결과가  왜 P의 분리상수와 B가 크게 차이가 나서 하나는 흡수되고 하나는 Pile-up이 되는지 모르겠습니다. (분리계수와 doping농도로 인한 분리상수식의 인자들은 관련이 없나요?)

m=si내 불순물농도/sio2내의 불순물농도  이부분이 헷갈립니다.