안녕하세요. 과거에 인하대학교 반도체 공정 실습에 참가했었던 학생입니다.

인하대학교 공정 실습 중 마지막에 MOSCAP의 SiO2 두께 오차 발생 원인에 대해 분석하는 시간을 가졌었는데요.

두께 오차의 원인은 SiO2 증착을 위해 DC sputter 장비 사용 시 높은 에너지를 가진 금속 이온과 불순물들이 SiO2로 침투하여

SiO2의 유전율 값이 달라지고 이 때문에 CET 값으로 도출해낸 SiO2 두께 값이 실제 값보다 작다는 것을 배웠습니다.

혹시 이것 이외에도 다른 오차 발생 이유가 있을까요? 

또한, 이 오차를 개선할 수 있는 방법이 무엇이 있을까요? 

(저는 magetron sputtering 을 사용하면 2차 전지로 인한 웨이퍼의 온도 상승을 막을 수 있고 공정 제어 용이성이 높아지기 때문에 SiO2 로의 sputtering 을 줄일 수 있다고 생각했는데 맞는 생각일까요?)