SCE 중 열전자 효과

반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

화학공학과

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

공정기술

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

“대량 생성된 정공들이 기판으로 빠지게 되면서 기판 전류가 생성되게 되고,
이로 인해 소스와 기판사이에 순방향의 PN접합이 형성되게 된다.” 

까지 이해가 되었습니다. 하지만 그 이후에 드레인의 전류가 갑자기 상승하는 과정에서 이해가 안되는게 소스와 기판 사이에 순방향의 PN이 형성하게 되면 순방향 bias의 경우 PN접합 부근 공핍 영역 폭이 작아지고, 내부 전위가 감소함에 따라 전자가 N->P로 이동하지 않나요?

교재에  사진에 숫자 5번의 경우 “전자 주입 및 드레인으로의 캐리어 흐름”이라고 작성되면서 화살표의 경우 전자가 기판(P)에서 소스(N)로 이동되는거처럼 작성되어 있습니다.

어떻게 이해해야 하나요??