반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

전자공학

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

SK 하이닉스 소자 직무

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

안녕하세요 선생님! 선생님의 조언덕분에 sk하이닉스 소자 직무 면접을 보게됩니다! 감사합니다.

공부를 하던 중 궁금한 것이 있어 몇가지 여쭤보려고 질문 남깁니다:)

1. 반도체 소자의 성능을 높이기 위해서, Vt를 낮추려는 노력을 한다고 말해도 괜찮나요? 

2. 매우 작게 스케일링 했다고 가정했을 때, 만일 동일 조건 모스펫이라고 가정할 때, 게이트 산화막 물질을 SiO2를 사용하는 것 대신 HfO2(high k 물질) 을 사용하면 Vt가 낮아지나요? 아니면 누설전류가 낮아지나요?

3. FD - SOI 와 PD - SOI 중 문턱전압이 FD가 더 낮은데 이 이유를 정성적으로 설명해주실 수 있을까요?

감사합니다!