에치공정 하드마스크 원리 질문입니다.

반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

화학공학과

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

공정기술

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

안녕하세요 서재범 선생님 에치 공정에서 하드마스크의 원리가 이해가 잘 되지 않습니다.

“단파장의 광원을 사용함에 따라 DOF가 낮아졌고(카메라로 따지면 상이 명확하게 맺히는 범위가 짧아짐 즉 PR 안으로 깊숙히 광원이 도달하여 완전히 화학적으로 변화시킬 수 있는 거리 혹은 두께가 감소함) 이를 보상하기 위해 PR두께가 얇아 져야한다.-> 식각시 PR이 버티지 못하는 문제가 발생+AR이 커지고 미세화됨에 따라 구조적으로 버티지 못함->하드 마스크로 극복”

으로 희생막을 사용하여 하드 마스크를 사용한다고 이해 했는데 원리가 이해 되지 않습니다.

아래 첨부한 그림을 보면 하드 마스크로 SION과  ACL 두 층을 피 식각막 위에 올린 뒤 노광 에치로 공정을 진행하는데, 하드마스크의 의미가 없지 않나요?? 단지 위에 두층을 올려서 식각하는것이 어떻게 도움이 되는건가요? 오히려 하드 마스크 막을 생성함으로써 어떻게 보면 AR을 더 크게 가져가 구조적으로 버티지 못할 꺼 같아서 질문합니다.

아래의 그림에서 하드 마스크를 올려 식각한게 어떤 원리로 도움이 되는지 궁금합니다.!!

feat. 이해한건 PR이 얇아져 빨리 식각되다 보니 하드 마스크를  PR대용으로 사용하여 식각을 진행한다.-> 이렇게 이해했는데 맞을까요?