반도체 소자 및 공정 곤련 질문드립니다.

반도체 질문은 반도체 전문가 서재범쌤에게!
정확한 답변을 위해 아래 양식에 맞춰 질문글을 작성해주세요 :)

■ 전공

전기전자

■ 세부 질문 분야
(ex. 회로설계직무/양산기술직무/메모리소자/DRAM/MOSFET/포토공정/CVD 등)

반도체 소자(MOSFET) 및 공정

■ 상세 질문 내용
(ex. 질문을 하게 된 강의명과 챕터명 or 도서의 페이지까지 구체적으로 적어주시면 더 좋아요! 일반 질문인 경우 강의명과 도서명은 적어주지 않아도 됩니다^^)

안녕하세요 제가 면접 준비를 위해 공부하다가 질문 드릴 것이 생겨 톡을 드립니다.

1. gate length 즉 channel length가 줄어들면서 SS이 증가하는 원인이depletion cap이 증가하기 때문이다 라는 부분이 잘 이해가 가지 않습니다

2. plasma에서 ICP 타입은 CCP 타입보다 플라즈마 밀도는 높지만 균일도가 떨어진다고 배웠습니다. 공정에서 산포를 줄이기 위해서는 uniformity가 중요한데 RIE나 HDP CVD와 같은 미세패턴에 쓰이는 공정은 ICP로 진행한다고 알고 있습니다. 이럴때 어떤 방식으로 uniformity를 개선시키는지 궁금합니다. 온도 제어와 가스 flow만 조절할까요?? 아니면 플라즈마 장비의 구조를 통해 밀도가 균일하게 형성되게 하나요??

3. 공정실습에서 Vth를 gm,max method를 통하여 측정했습니다. 이외에도 constant current method와 같은 다른 방법이 있다고 들었습니다. 이 방법들은 각각 어느 경우에 사용하고 또 gm,max method를 왜 사용하는지 궁금합니다.

감사합니다 선생님!