[엔지닉X반도체 공정기술] 반도체 공정과정 마스터하기!(2)

학습 요점 정리:

이번 학습에서는 반도체 공정 중 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 대한 심화 내용을 다루었습니다. 공정 흐름을 세분화한 이미지에서 각 단계의 핵심 요소들을 구체적으로 이해할 수 있었습니다. 포토리소그래피 공정의 핵심은 해상도, DOF(Depth of Focus), 마스크 및 광원의 최적화입니다. 이를 위해, Resolution과 DOF trade-off를 조정하여 공정 개선이 가능하다는 내용을 다루었으며, 다양한 광원과 마스크 기술을 적용하는 과정도 중요하다는 점을 배웠습니다.

세부 공정에서는 HMDS, PR 도포, PEB(포스트 익스포저 베이크), PR 상세 조정과 같은 기술적 요소들에 대해 깊이 있는 설명이 있었습니다. 특히, UV, DUV 광원의 역할과 Step & Scan 시스템의 동작 원리, 마스크-웨이브 이동에 따른 문제 해결 방안도 다루었습니다. 최신 기술로는 EUV (Extreme Ultraviolet) 및 ArF-i 기술을 통한 해상도 향상 방법에 대해 배울 수 있었습니다.

학습 소감 및 향후 계획:

현재 제가 진행 중인 포토리소그래피 공정 개선 프로젝트에서 이번 학습 내용이 매우 큰 도움이 되었습니다. 특히, DOF와 Resolution 간의 트레이드오프 문제를 해결하는 과정에서 k 값과 광원 최적화의 중요성을 다시 한 번 깨닫게 되었습니다. 이와 같은 기술적 이해를 바탕으로, 실제 공정에서 발생할 수 있는 문제들을 해결할 수 있는 방안을 모색할 계획입니다. 또한, PEB와 PR 도포 과정을 최적화하여 나노패턴의 품질을 높이는 데 주력할 것입니다. 앞으로도 EUV와 같은 최신 기술을 적용하여 공정 효율성을 극대화하고, 반사형 마스크와 관련된 문제를 해결하는 데 더 많은 연구를 진행할 예정입니다.