[엔지닉X반도체 공정기술] 반도체 공정과정 학습일지2

이번 학습에서는 반도체 공정 중 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 대해 심도 깊은 내용을 다뤘습니다. 공정 흐름을 세분화한 이미지를 통해 각 단계에서의 핵심 요소들을 보다 명확하게 이해할 수 있었습니다. 포토리소그래피 공정의 핵심은 해상도, DOF(Depth of Focus), 마스크 및 광원 최적화입니다. 이를 위해, Resolution과 DOF 간의 트레이드오프를 조정함으로써 공정을 개선할 수 있다는 점을 배웠으며, 다양한 광원과 마스크 기술을 적용하는 과정 또한 중요하다는 사실을 알게 되었습니다.

세부 공정에서는 HMDS, PR 도포, PEB(포스트 익스포저 베이크), PR 상세 조정 등 기술적인 요소들에 대해 심도 있는 설명을 들을 수 있었습니다. 특히, UV 및 DUV 광원의 역할과 Step & Scan 시스템의 동작 원리, 마스크-웨이브 이동에 따른 문제 해결 방법도 다뤄졌습니다. 최신 기술로는 **EUV (Extreme Ultraviolet)**와 ArF-i 기술을 통한 해상도 향상 방법을 배울 수 있었습니다.

이번 학습 내용은 제가 현재 진행 중인 포토리소그래피 공정 개선 프로젝트에 매우 유용하게 활용될 것입니다. 특히, DOF와 Resolution 간의 트레이드오프 문제를 해결하는 과정에서 k 값과 광원 최적화의 중요성을 다시 한 번 인식하게 되었습니다. 이러한 기술적 이해를 바탕으로 실제 공정에서 발생할 수 있는 문제들을 해결할 수 있는 방안을 모색할 예정입니다. 또한, PEB와 PR 도포 과정을 최적화하여 나노패턴의 품질을 향상시키는 데 집중할 것입니다. 앞으로도 EUV와 같은 최신 기술을 적용하여 공정 효율성을 극대화하고, 반사형 마스크와 관련된 문제를 해결하는 연구를 지속적으로 진행할 예정입니다.