4학년으로 올라가기 전 반도체 공정기술 직무에 대해 더 깊게 공부하기 위해 이번 엔지닉X윈스펙 반도체 빡공 스터디에 참여하게 되었습니다.

이번 1회차 강의에서는 삼성과 하이닉스의 면접 방식과, 지원 직무와 학과에 따른 학습 범위에 대해 공부할 수 있었습니다. 3학년 때 반도체 공정 전공 수업을 수강했지만 양이 매우 많은 공정 과목에서 중점으로 공부해야하는 부분을 정확히 알 수 없었는데 이번 스터디를 통해 특히 반도체 공정 기술과 공정 설계에 대해 정확 알게 되었습니다. 알려주신 방향대로 이번 방학 동안 반도체 8대 공정 교육,반도체 강의 등 보충 공부 계획을 세울 수 있었습니다.

강의내용 정리(공정기술)

반도체 8대 공정, 공정 별 이슈 및 해결책, 최신 기술 동향
Mostcap: VG 전하 분포, 문턱전압 정의
Mosfet: 동작 원리, 차단/선형/포화 영역, 핀치 오프
SCE(Issue&Solution): 무어의 법칙, Short channle Effect 정의, 게이트 제어 능력 저하, 누설전류 발생, DIBL, Punch-Through 정의

포토공정

1. 세부공정 상세(HMDS, 반응/표면 에너지/접촉각, PR 도포 변수/EBR, PR 종류의 장단점, 노블락/CAR 원리, overlay 측정 원리/방법, PEB 원리, 불량 원인/대책, SEM/TEM 원리)
2. 파라미터(해상도, DOF 정의, 영향 인자/원리, 해상도와 DOF의 trade off 관계, DOF 개선 원리)
3. 설비(UV, DUV, Stepper/Scanner(원리, 장점, 마스크-웨이퍼 이동, 생산성, 렌츠 수차, 렌즈 오염)
4. RET(해상도, 접착력 등,ArF-i 원리(전반사), K를 낮추기 위한 기술, OAI, PSM, OPC, MP-해상도를 높이기 위한 기술)
5. 최신기술(EUV, LPP 플라즈마, 파장과 흡수, DBR 원리, 반사율, 입사광 각도, 반사형 마스크, PR, Pellicle issue)